ISBN/价格: | 978-7-121-12697-0:CNY59.00 |
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作品语种: | chi eng |
出版国别: | CN 110000 |
题名责任者项: | 纳米CMOS集成电路/.(荷兰) Harry Veendrick著/.周润德译 |
出版发行项: | 北京:,电子工业出版社:,2011.1 |
载体形态项: | 389页, [8] 页图版:;+图 (部分彩图):;+26cm |
丛编项: | 国外电子与通信教材系列 |
提要文摘: | 本书全面介绍了纳米CMOS集成电路技术。包括纳米尺度下的器件物理、集成电路的制造工艺和设计方法;介绍了存储器、专用集成电路和片上系统;突出了漏电功耗问题和低功耗设计,讨论了工艺扰动和环境变化对集成电路可靠性和信号完整性的影响。书中还包括了有关纳米CMOS集成电路的测试、封装、成品率和失效分析,并在最后探讨了未来CMOS特征尺寸缩小的趋势和面临的挑战。 |
题名主题: | 半导体材料 纳米材料 CMOS电路 集成电路 高等学校 教材 |
中图分类: | TN432 |
个人名称等同: | 维恩德里克 著 |
个人名称次要: | 周润德 译 |
记录来源: | CN NEU 20110412 |
记录来源: | CN TSU 20110707 |
记录来源: | CN PUL 20110707 |